台积电举办2022年北美技术论坛会中揭示TSMCFINFLEXTM技术及

TSMC于美国当地时间16日举办2022北美技术论坛，披露了先进逻辑技术，特殊技术和3D IC技术的最新创新成果，并首次推出使用纳米片晶体的下一代先进N2工艺技术，以及支持N3和N3E工艺的TSMC FINFLEXtrade，技术。

技术论坛的主要技术重点包括:

TSMC FINFLEXtrade支持N3和N3E技术mdashmdash

TSMC业界领先的N3技术预计将于2022年下半年进入量产，并与创新的TSMC FINFLEXtrade相匹配，架构，为芯片设计师提供无与伦比的灵活性。

TSMC FINFLEXtrade，提供多样化技术的标准元件选择:3—2鳍片结构支持超高性能，2—1鳍片结构支持最佳功耗效率和晶体管密度，2—2鳍片结构支持平衡两者的高效性能TSMC FINFLEXtrade，该架构可以准确地协助客户完成满足其需求的片上系统设计每个功能存储块采用优化的fin结构，支持所需的性能，功耗和面积，同时集成在同一芯片上

N2科技mdashmdash

N2科技股份有限公司自N3以来有了很大的进步相同功耗下，速度提升10~15%，或者相同速度下，功耗降低25~30%，开启了高效率的新时代N2将采用纳米芯片晶体管架构，将性能和功耗效率提升一代，帮助台积电客户实现下一代产品的创新除了移动计算的基本版本，N2技术平台还涵盖了高性能版本和完整的小芯片集成解决方案N2预计将于2025年开始量产

拓展超低功耗平台，引入N6e技术mdashmdash

基于2020年技术论坛上透露的N12e技术的成功，台湾公司正在开发下一代N6e技术，主要提供边缘人工智能和物联网设备所需的计算能力和能效N6e将基于台湾产品公司先进的7 nm工艺，逻辑密度预计比N12e高3倍N6e将是台湾产品超低功耗平台的一部分，该平台包括逻辑，RF，模拟，嵌入式非易失性存储器和电源管理ic解决方案，并支持边缘人工智能和物联网应用

TSMC 3d fabric trade，三维硅堆叠解决方案mdashmdash

台湾股份有限公司展示了客户引入的两项突破性创新，每个应用系统集成芯片堆叠解决方案:

世界上第一条TSMC赛道，基于CPU，采用片上芯片堆叠技术堆叠三级缓存SRAM。

创新的智能处理器通过使用晶圆对晶圆技术堆叠在深沟槽电容器芯片上。

支持CoW和WoW的N7芯片已经量产，N5技术支持预计2023年完成。

为了满足客户对系统集成芯片和其他台湾产品公司的要求，3DFabrictrade系统集成服务的需求，世界上第一个全自动化的3DFabrictrade该晶圆厂预计将于2022年下半年投产。