东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT可降低开关损耗

，东芝电子元件和存储器件有限公司和东芝公司共同开发了世界上第一个4.5千伏双栅反向传导注入增强型栅晶体管东芝证实，其开启和关闭期间的总功耗比传统的单栅极结构低24%

电源设备是电源供应和管理的组成部分，对于降低各种电子设备的功耗，实现碳中和社会至关重要伴随着全球脱碳和节能的趋势，IEGT被广泛应用于大功率逆变器和高压直流输电等需要大电流，高能效和低功耗的应用领域很难降低IEGT的功耗，因为降低损耗会增加IEGT导通时的开关损耗

东芝开发了4.5kV双栅RC—IEGT，其中空穴控制栅与主栅分离与单栅器件中的反向恢复相比，该方法通过在关断和注入之前控制空穴提取来降低损耗在IEGT模式下，电流从基板的背面流向正面CG关断后MG关断，减少了衬底中积累的空穴，降低了关断损耗二极管模式下，电流从衬底正面流向背面，MG和CG在反向恢复前同时导通，减少了衬底中积累的电子和反向恢复损耗

新型双栅RC—IEGT结合栅控技术，与传统单栅结构相比，关断和导通损耗分别降低了24%和18%，反向恢复损耗降低了32%因此，实际测量值中的总开关损耗减少了24%，而传导损耗没有任何增加