消息称SK海力士正开发基于238层NAND的UFS4.0闪存，有望明年上

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据外媒THELEC今日报道，半导体行业人士透露，SK海力士计划最早于明年上半年量产最新的238层NAND UFS 4.0闪存。

根据SK海力士制定的UFS 4.0内存开发计划，将主要在UFS 4.0闪存上搭载V7和V8 NAND，其中V8是SK海力士研发的全球首款238层NAND闪存，能耗比176层NAND降低21%它采用4D封装技术与3D封装相比，前者减少了单位面积，生产效率更高

THELEC还透露了SK海力士正在研发的UFS 4.0闪存的数据处理速度:连续读取4000 MB/s，连续写入2800 MB/s，外观为11×13×0.8mm..单从速度来看，目前的曝光速度可能只有V7 NAND配备。

相比之下，三星5月4日推出的UFS 4.0的闪存采用176层NAND，连续读取4200 MB/s，连续写入2800 MB/s，外形规格为11× 13× 1 mm

此前有消息称，SK海力士的238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，比上一代产品提升了50%现在，它还没有应用到UFS 4.0中

SK海力士开发的238层512GB TLC 4D NAND闪存

本站了解到，据THELEC透露，目前SK海力士已经向主要客户公司供应了238层NAND样片，并计划在明年上半年量产因此，搭载V8 NAND的UFS 4.0内存最快也有望从明年上半年开始量产

UFS 4.0闪存是今年5月正式批准的最新标准其数据传输带宽为23.2 Gbps，是之前UFS 3.1的两倍带宽越大，数据处理速度越快