台积电N3E工艺良率超预期，泄露PPT显示平均良率超过80%

TSMC已经确认将在9月量产3nm工艺，初始良品率优于5nm第一批3nm产能如果不出意外，会在苹果M2 Pro和英特尔之间平分，但初期产能不会太多

可是，最初的N3过程主要是针对具有超级投资能力和追求新技术的早期客户，如苹果，但它具有很强的局限性，如时间较晚和应用不足。

不过，继3nm之后，TJI明年将推出升级版N3E工艺，即3nm Ehanced的增强版，将进一步提升性能，降低功耗，扩大应用范围与N5相比，相同性能和密度下功耗会降低34%，相同功耗和密度下性能会提高18%，或者晶体管密度会提高60%

本站曾报道，商业时报的分析师认为，N3E技术将成为各大厂商的主要量产力量，包括苹果iPhone 15系列的A17处理器，下一代的M3处理器，以及未来AMD的Zen5。

据说M3可以用在MacBook Air等产品上，苹果有可能会增加这款机型的显示屏尺寸，通过更强的散热方案来提高散热效果其他潜在的产品包括更新的iPad Pro系列，更新的iMac，以及未来可能的iPad Air与M2和M1一样，M3将再次使用四个性能核心和四个效率核心

根据行业惯例，TSMC将在今年第一步测试N3E工艺的性能和试产良率，预计2023年下半年量产而《核心清单+》刚刚泄露了一份TSMC的内部PPT，显示其N3E工艺进展非常顺利，至少在良品率方面会有惊喜

PPT显示，TSMC新N3E工艺的良率超出预期，其中N3E的256Mb SRAM平均良率约为80%，移动设备和HPC芯片的良率约为80%，环形振荡器的良率甚至可以超过92%。